鉴于大家对电气工程与自动化类别十分关注，我们编辑小组在此为大家搜集整理了“多功能手机充电器的研制”一文，供大家参考学习
功能说明 *Vcc：电源电压 *GND：地 *P0口：P0口是一组8位漏极开路行双向I/O口，也既地址/数据总线用 口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路，对端口P0写“1”时，可作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上位电阻。 在Flash程序时，P0口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，在校验时，要求外接上拉电阻。 *P1口：P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口，P1的输出缓冲级可驱动 （吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部上拉 电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用使，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（I）。 与AT89C51不同之处是，P1.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部 计数输入（P1.0/T2）和输入（P1.1/T2EX），参见表1 表1 Flash编程和程序校验期间，P1接收8位地址。
*P2口：P2是一个带有内部是拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，做输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（I）。 在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器（例如执行MOVX@DPRT指令）时，P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器（如执行MOVX@RI指令）时，P2口输出P2锁存器的内容。 Flash编程或校验时，P2亦接收高位和地址和一些控制信号。 *P3口：P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流（I）。 P3口除了作为一般的I/O口线外，更重要的用途上它的第二功能，如下表所示
数据查询： AT89C52单片机用Data Palling表示一个写周期结束为特征，在一个周期中，如需读取最后写入的一个字节，则读出的数据的最高位（P0.7）是原来写入字节最高位的反码。写周期完成后，所输出的数据是有效的数据，即可进入下一个字节的写周期，写周期开始后，Data非Palling可能随时有效。 Ready/Busy非：字节编程的进度可通过RDY/BSY非输出信号检测，编程期间，ALE变为高电平“H”后，P3.4（RDY/BSY非）端电平被拉低，表示正在编程状态（忙状态）。编程完成后，P3.4变为高电平表示准备就绪状态。 程序校验：如果加密位LB1、LB2没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回编写的数据，采用如图12的电路。加密位不可直接校验，加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证。 | ||||||||||||||||||||||
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